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参数目录36392
> MSD1819A-RT1G TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
型号:
MSD1819A-RT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MSD1819A-RT1G PDF
产品变化通告
Copper Wire Change 19/May/2010
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
210 @ 2mA,10V
功率 - 最大
150mW
频率 - 转换
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SC-70-3(SOT323)
包装
带卷 (TR)
其它名称
MSD1819A-RT1G-ND
MSD1819A-RT1GOSTR
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